SO DDR3 4GB PC1333 CL9 Samsung

Art.Nr.:

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Allgemein:

Speicherkapazität :

4 GB

Erweiterungstyp :

Generisch

Speicher:

Typ :

DRAM

Technologie :

DDR3 SDRAM

Formfaktor :

SO-DIMM, 204-polig

Speichergeschwindigkeit :

1333 MHz ( PC3-10600 )

Latenzzeiten :

CL9 ( 9-9-9 )

Datenintegritätsprüfung :

Nicht-ECC

RAM-Merkmale :

Dual Rank, acht Bänke , ungepuffert

Modulkonfiguration :

512 x 64

Chip-Organisation :

256 x 8

Versorgungsspannung :

1.5 V

Erweiterung / Konnektivität :

Kompatible Steckplätze :

1 x Speicher - SO-DIMM, 204-polig

Verschiedenes:

Kennzeichnung :

Bleifrei, halogenfrei

Technische Daten Copyright DCI AG, technische Änderungen vorbehalten

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